RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2592
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link