RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3406
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link