RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3091
2652
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link