RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
139
Около 83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
139
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link