RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link