RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2816
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link