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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2696
2816
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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