Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 31
    Wokół strony 19% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.3 left arrow 10.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 14900
    Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.4 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.3 left arrow 10.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2696 left arrow 2816
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania