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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

総合得点
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

総合得点
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 31
    周辺 19% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 10.8
    テスト平均値
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.3 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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