Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 31
    Intorno 19% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.3 left arrow 10.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16 left arrow 15.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 14900
    Intorno 1.29 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.4 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.3 left arrow 10.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2696 left arrow 2816
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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