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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
15.4
16.0
写入速度,GB/s
11.3
10.8
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
2816
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
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