RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2298
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link