RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2298
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link