RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3198
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link