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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
34
读取速度,GB/s
4,295.1
15.4
写入速度,GB/s
2,034.7
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2786
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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