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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
17.7
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3313
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Mushkin 991586 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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