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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
37
读取速度,GB/s
11.4
14.6
写入速度,GB/s
7.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2780
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Inmos + 256MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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