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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
63
读取速度,GB/s
16.2
14.7
写入速度,GB/s
11.2
12.7
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2897
2543
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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