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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.2
22.6
写入速度,GB/s
8.6
16.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3837
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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