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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1700
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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