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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
17.9
写入速度,GB/s
8.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3502
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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