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PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
17.4
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3039
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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