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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3389
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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