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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
20.0
写入速度,GB/s
8.4
19.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4243
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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