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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
13.3
写入速度,GB/s
8.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2439
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT8GX3M2A2000C9 4GB
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