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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3028
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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