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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
14.4
写入速度,GB/s
10.1
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2883
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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