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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
19.9
写入速度,GB/s
1,950.7
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3832
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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