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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
58
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
36
读取速度,GB/s
4,241.0
14.4
写入速度,GB/s
1,950.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2490
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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