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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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