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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
41
读取速度,GB/s
13.6
14.2
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2448
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB RAM的比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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