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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.4
16.7
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
3055
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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