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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
18.4
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3723
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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