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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
73
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
73
读取速度,GB/s
9.8
13.6
写入速度,GB/s
8.1
5.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1439
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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