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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
12.6
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2035
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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