Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

总分

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

差异规格评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

报告一个错误

更快的写入速度，GB/s

7.8 6.6

测试中的平均数值

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

需要考虑的原因
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

报告一个错误

低于PassMark测试中的延时，ns

30 47

左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

13.5 10.4

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

19200 12800

左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

47 30
读取速度，GB/s

10.4 13.5
写入速度，GB/s

7.8 6.6
内存带宽，mbps

12800 19200

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)

2169 1338

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Kingston HX424C15PB/4 4GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB

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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

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Kingston 9905701-003.A00G 16GB

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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

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