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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
11.8
14.5
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3269
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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