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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
77
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
39
读取速度,GB/s
3,405.2
15.0
写入速度,GB/s
2,622.0
7.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2245
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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