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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
7.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2982
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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