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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
9.6
写入速度,GB/s
7.3
5.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1839
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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