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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
78
104
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
78
读取速度,GB/s
3,192.0
13.7
写入速度,GB/s
2,404.5
8.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1895
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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