RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
104
186
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3.9
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
186
读取速度,GB/s
3,192.0
3.9
写入速度,GB/s
2,404.5
2.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
536
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link