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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
104
左右 -271% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
28
读取速度,GB/s
3,192.0
17.3
写入速度,GB/s
2,404.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3209
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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