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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
20.2
写入速度,GB/s
2,404.5
17.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
4014
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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