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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
18.4
写入速度,GB/s
2,201.1
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3525
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM3X8GB1600C11N2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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