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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
16.8
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3009
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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