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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
16.7
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2870
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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