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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3536
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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