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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

总分
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

总分
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB 需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 44
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 13
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    13.0 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2069 left arrow 3074

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
内存RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
内存RAM