RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB 需要考虑的原因
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 48
    左右 -85% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 2633

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
内存RAM